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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 250nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":563,"23+":593}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:218
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"23+":8860,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"23+":8860,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订1600个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订1600个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1600
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8650pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P-Channel

    导通电阻:5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1250
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP304-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"23+":8860,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP304-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP304-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月2日前
    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    输入电容:17640pF@25V

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:250nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4V@410µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP304-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP304-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:6.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    功率:90W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:250nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:13000pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    输入电容:14000pF@12V

    功率:3.2W€195W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    阈值电压:1.9V@250µA

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:250nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
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