品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M8LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y19-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9，5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y19-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9，5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
