品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:326nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11100pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:326nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11100pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:326nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11100pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€100W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货