品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：3W
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
导通电阻：60mΩ@5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N-Channel
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N-Channel
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N-Channel
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
