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    阈值电压: 3V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 1.5A
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17109,"19+":1001,"23+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月6日前
    - +
    起购:7
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:35
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:27
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350SQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350SQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6350SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    起购:1000
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