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    阈值电压: 2V@250µA
    功率: 2.5W
    类型: N沟道
    当前匹配商品:10+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月10日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月10日前
    - +
    起购:12
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:12
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:15
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1969}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月25日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月25日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月10日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:22A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:468pF@15V

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    功率:2.5W

    输入电容:4766pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:22A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:468pF@15V

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
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