品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
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输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
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库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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类型:N沟道
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库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
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库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
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库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
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库存:无货
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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类型:N沟道
连续漏极电流:22A
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
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类型:N沟道
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库存:无货
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:22A
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输入电容:468pF@15V
栅极电荷:3.1nC@4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:无货