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    阈值电压: 4V@250µA
    栅极电荷: 110nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    12月8日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP360LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@14A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR2405TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90100E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3930pF@100V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQA46N15 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA46N15 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA46N15

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:211
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP150NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@23A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:50
    加购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP150NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@23A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70042E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:

    输入电容:6490pF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP150NPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP150NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@23A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90100E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3930pF@100V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQA90N08 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA90N08 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":450,"22+":460,"MI+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA90N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:2400
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FQA90N08
    onsemi Mosfet场效应管 FQA90N08

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA90N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:10
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