品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2403pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5022pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2403pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2403pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1092pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04CR RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：2403pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：112psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP88N04NUG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：散装
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.6W€428W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10053pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4305pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.9W€205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9230pF@25V
连续漏极电流：65A€420A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2082pF@25V
连续漏极电流：15.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD120N4F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N4F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4005SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3062pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：200，"19+"：575，"22+"：194995，"23+"：7507，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S203ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
