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    阈值电压: 5V@250µA
    连续漏极电流: 6A
    类型: N沟道
    当前匹配商品:10+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:25
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月27日前
    - +
    起购:300
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH6N120
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH6N120

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH6N120

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:4
    加购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:15
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:250
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月12日前
    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月27日前
    - +
    起购:2000
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