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    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:9
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:49
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:4
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:28A€101A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.5Ω@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS782DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS782DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS782DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:30.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:6000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7843TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:161A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:413nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15660pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7843TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:161A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:29
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€30W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€34A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AON7318 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7318 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7318

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2840pF@15V

    连续漏极电流:36.5A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€36A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    AOS Mosfet场效应管 AON7428 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7428 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7428

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3120pF@15V

    连续漏极电流:34A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVTX-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVTX-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVTX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V€420pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7843TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:161A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:100
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