品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ010NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ010NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16415Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：38A€100A
栅极电荷：29nC@4.5V
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：29nC@4.5V
阈值电压：1.9V@250µA
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ010NE2LS5ATMA1
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W€69W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：3900pF@12V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
连续漏极电流：32A€40A
导通电阻：1mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：29nC@4.5V
阈值电压：1.9V@250µA
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：38A€100A
栅极电荷：29nC@4.5V
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：38A€100A
栅极电荷：29nC@4.5V
阈值电压：1.9V@250µA
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
