首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 29nC@4.5V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月18日前
    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月2日前
    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月2日前
    - +
    起购:40
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月2日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16415Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16415Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16415Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ010NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ010NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ010NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:32A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月2日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1000,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:1084
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2596}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:1729
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1000,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16415Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16415Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16415Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ010NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ010NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ010NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:32A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月18日前
    - +
    起购:100
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧