销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：4.9A
栅极电荷：4.8nC@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：452pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30XPAR
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
功率：610mW€8.3W
导通电阻：33mΩ@4.9A，8V
连续漏极电流：4.9A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：1039pF@10V
漏源电压：20V
栅极电荷：16nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
