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    包装方式: 管件
    栅极电荷: 48nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":18950,"22+":950,"MI+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@34µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3900pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:605
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA093N06N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":18950,"22+":950,"MI+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@34µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3900pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB5N65APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1417pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:930mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:100
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