品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB38N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB38N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@12A，10V
工作温度：150℃
输入电容：2250pF@300V
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@12A，10V
工作温度：150℃
输入电容：2250pF@300V
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
