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    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 31nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月2日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:129A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:250
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月2日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:3000
    加购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8324TR2PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8324TR2PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8324TR2PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@10V

    连续漏极电流:23A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:129A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月17日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":9000,"18+":9000,"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:417
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":9000,"18+":9000,"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:30
    加购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4016}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:892
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM830TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM830TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHM830TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€37W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2155pF@25V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:10
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