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    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:6000
    NXP Mosfet场效应管 BUK761R8-30C,118
    NXP Mosfet场效应管 BUK761R8-30C,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK761R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10349pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:263
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:119W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@15V

    连续漏极电流:56A€220A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月8日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RRH140P03GZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH140P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8000pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB100N03S203T
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB100N03S203T

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB100N03S203T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:100
    NXP Mosfet场效应管 BUK761R8-30C,118
    NXP Mosfet场效应管 BUK761R8-30C,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK761R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10349pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    12月23日前
    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    库存:

    11月23日前
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