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    漏源电压
    30V
    栅极电荷
    类型
    行业应用
    连续漏极电流
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 23nC@4.5V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:7
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8748PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8748PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2139pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月2日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月2日前
    - +
    起购:1283
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:363
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":298,"09+":1500,"11+":227,"13+":2500,"14+":16391,"16+":22542,"18+":39}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8726TRPBF 起订400个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8726TRPBF 起订400个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8726TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月17日前
    - +
    起购:400
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