品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK60Z
输入电容：170pF@25V
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：8Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：60W
输入电容：320pF@100V
导通电阻：780mΩ@3A，10V
栅极电荷：10nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
