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    连续漏极电流
    3A
    类型
    漏源电压
    60V
    行业应用
    连续漏极电流: 3A
    类型: P沟道
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:20+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SEQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SEQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:5000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:6
    加购:5
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:1000
    加购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月23日前
    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STN3P6F6
    ST Mosfet场效应管 STN3P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SEQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SEQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    10月8日前
    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    输入电容:759pF@30V

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月9日前
    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    输入电容:759pF@30V

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月9日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    输入电容:637pF@30V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月9日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SE-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SE-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:150mΩ@2.2A,10V

    类型:P沟道

    输入电容:708pF@30V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月9日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    栅极电荷:22nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月9日前
    - +
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