品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:558pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:558pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:558pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1032UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@6V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1032UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@6V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:558pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20.4nC@10V
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货