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    连续漏极电流: 4.8A
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV30ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:558pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:558pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV30ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:558pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV30ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:1500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1032UCB4-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1032UCB4-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1032UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@6V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV30ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV30ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:6000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R1K4CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R1K4CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:1500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1032UCB4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1032UCB4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1032UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@6V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:558pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR220TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月28日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月31日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    输入电容:1063pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:20.4nC@10V

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月30日前
    - +
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