品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120AW7TL
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N-Channel
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.6V@1.86mA
栅极电荷：26nC@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
工作温度：-40℃~175℃
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
输入电容：640pF@400V
功率：86W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
漏源电压：650V
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
ECCN：EAR99
导通电阻：180mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：2425}
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
栅极电荷：45nC@10V
功率：128W
类型：N沟道
漏源电压：650V
输入电容：2140pF@400V
阈值电压：4V@590µA
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
