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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    9月3日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:2000
    加购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订6000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订6000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:7500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:4000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:6000
    加购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":18000,"24+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月3日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月19日前
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    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    连续漏极电流:6.6A

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    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

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    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:470pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    8月5日前
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD8P10TM
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    连续漏极电流:6.6A

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    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

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    功率:2.5W€44W

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    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

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