品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB150CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
导通电阻：150mΩ@12A，10V
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：5V@540µA
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：600psc
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@12A，10V
功率：250W
类型：N沟道
阈值电压：5V@100µA
包装方式：管件
连续漏极电流：24A
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1530pF@100V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
