品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：27500，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：123500，"12+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.31W€56.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@1mA
输入电容：2250pF@10V
漏源电压：20V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
