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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 3.4A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:2
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:750
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:590mW€5.6W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:296pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:13
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:10
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86248

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:4V@250mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@75V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:590mW€5.6W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:296pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月27日前
    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月27日前
    - +
    起购:5000
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86248

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:4V@250mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@75V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:379
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4N60NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4N60NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":28853}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:841
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:590mW€5.6W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:296pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:79
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:2
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:590mW€5.6W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:296pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:277pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86248

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:4V@250mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@75V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86248 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86248

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:4V@250mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@75V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:277pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:590mW€5.6W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:296pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
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