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    漏源电压
    12V
    阈值电压
    行业应用
    连续漏极电流
    类型: 1个P沟道
    漏源电压: 12V
    阈值电压: 900mV@250μA
    当前匹配商品:6
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月31日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数500个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11R2VPX 起订数500个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    输入电容:2.23nF@6V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月31日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月31日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月31日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月15日前
    - +
    起购:500
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