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    类型: P沟道
    栅极电荷: 34nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP102-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:18.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:1600
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:6000
    加购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月29日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月1日前
    - +
    起购:2000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:8000
    加购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:25
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月14日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月29日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月29日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月29日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1180pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    功率:5W€24.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月31日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1180pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月31日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    连续漏极电流:20A

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1650pF@10V

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:1.2W€38W

    工作温度:175℃

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月31日前
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