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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:9000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:26
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:14
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月28日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月28日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月28日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月28日前
    - +
    起购:300
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:26
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月13日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:51pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月30日前
    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:51pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月30日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:3454
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:176pF@25V

    连续漏极电流:620mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@620mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:10000
    加购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:27
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138WH6433XTMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138WH6433XTMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.4V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138WH6433XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138WH6433XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:24
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5618P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:1.25A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJP020N06T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:10nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5618P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:1.25A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:18
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5618P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:1.25A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月13日前
    - +
    起购:10
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