品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD110N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@60V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@75A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD110N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@60V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@75A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
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规格型号(MPN)：IPD110N12N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@60V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@75A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
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工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@60V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@75A，10V
漏源电压：120V
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