品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC6320K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V€125pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2625K4-G
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.04nC@1.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,0V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3145N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@100mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC6320K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V€125pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC7920K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@25V€54pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:10Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC8220K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@25V€75pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:6Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC7920K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@25V€54pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:10Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3545N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@150mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2535N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6660
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT77N60JC3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:3.9V@5.4mA
栅极电荷:640nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13600pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@60A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC6320TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V€125pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5322K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存: