品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：4.714nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
反向传输电容：456pF@20V
导通电阻：7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70P04K
阈值电压：1.4V@250μA
功率：156W
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
输入电容：4.714nF@20V
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：42nC@10V
反向传输电容：456pF@20V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
阈值电压：1.4V@250μA
导通电阻：77mΩ@4.5V
功率：1.4W
漏源电压：30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
阈值电压：1.4V@250μA
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
功率：900mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
