品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，235
工作温度：150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2406L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，235
工作温度：150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2406L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2406L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
