销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
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导通电阻：160mΩ@5A，10V
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库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
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库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
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ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
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库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
