品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS139WS
功率：380mW
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LRC6N33YT1G
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LRC6N33YT1G
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LRC6N33YT1G
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS139WS
功率：380mW
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ045N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM6333C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A€3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@15V
导通电阻：52mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM6333C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A€3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@15V
导通电阻：52mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS139WS
功率：380mW
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS139WS
功率：380mW
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.1Ω@4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM6333C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A€3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@15V
导通电阻：52mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM6333C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A€3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@15V
导通电阻：52mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LRC6N33YT1G
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5H030TNTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM6333C
漏源电压：30V
反向传输电容：20pF@15V
类型：1个N沟道+1个P沟道
功率：950mW
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A€3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：52mΩ@10V，2.5A
阈值电压：1.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6M3TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E030AJTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
