品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03A
功率：25W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6
功率：188W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.7mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6
功率：188W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.7mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
