品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：108A€30A
类型：2个N沟道
导通电阻：4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
