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    MOT Mosfet场效应管 MOT3390J
    MOT Mosfet场效应管 MOT3390J

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3390J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:81.3nC@10V

    输入电容:4.222nF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:448.6pF@15V

    导通电阻:7.4mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月26日前
    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G36N03K
    谷峰 Mosfet场效应管 G36N03K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G36N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:1.04nF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:136pF@15V

    导通电阻:7mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月9日前
    - +
    起购:48
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN010-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:28A€10.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月9日前
    - +
    起购:7
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2306
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2306

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2306

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    输入电容:363pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:39pF@15V

    导通电阻:29.5mΩ@10V,3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月26日前
    - +
    起购:187
    MOT Mosfet场效应管 MOT3390J
    MOT Mosfet场效应管 MOT3390J

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3390J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:81.3nC@10V

    输入电容:4.222nF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:448.6pF@15V

    导通电阻:7.4mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月26日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN010-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:28A€10.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:16
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AON7544 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7544 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7544

    功率:23W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP034N03L G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:5.3nF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:81pF@15V

    导通电阻:2.8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LG
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LG

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LG

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:16
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LG
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LG

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LG

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSG
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSG

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N03LSG

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":196520}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NS
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NS

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NS

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月9日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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