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    阈值电压: 1V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1521
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月28日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

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    输入电容:2240pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月28日前
    - +
    起购:1380
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月28日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

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    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1002
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1002
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZCTCG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZCTCG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1320}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZCTCG

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:558
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1380
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
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