品牌
    阈值电压
    栅极电荷
    连续漏极电流
    阈值电压: 1V@250µA
    栅极电荷: 0.74nC@4.5V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:87
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:95
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:38
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:14
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V

    连续漏极电流:1.066A€845mA

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:39
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:0.87A€0.64A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:0.87A€0.64A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:38
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:15000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:0.87A€0.64A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:96000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:30000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:0.87A€0.64A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V

    连续漏极电流:1.066A€845mA

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:0.87A€0.64A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1200
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016UDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@10V

    连续漏极电流:1.066A€845mA

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    正在加载中,请稍后~~
    <上一页123下一页>3页  到第确定
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧