阈值电压: 1V@250µA
    漏源电压: 40V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL140N4LLF5
    ST Mosfet场效应管 STL140N4LLF5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N4LLF5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@20V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    加购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL60P4LLF6
    ST Mosfet场效应管 STL60P4LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2000
    加购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STL60P4LLF6
    ST Mosfet场效应管 STL60P4LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@20V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@20V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1004PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5330pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@78A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1004PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5330pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@78A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@20V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4139,"22+":1065,"9999":790}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1004PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5330pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@78A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:218
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:250
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1004PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1004PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5330pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@78A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    加购:50
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
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    起购:500
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