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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7341TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001 起订43个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001 起订43个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:43
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968DCA RVG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968DCA RVG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968SDCA RVG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968SDCA RVG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6968SDCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    起购:6
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:45pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月27日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2165
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06DWK-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06DWK-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN5L06DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:16
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:610mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:37
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD4116NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD4116NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD4116NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:75
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5000
    加购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.3A€1.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:198mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA910EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:610mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
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    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
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    起购:8000
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