销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UNS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：12.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：12.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UNS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UNS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：12.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8822
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON5820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UNS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：12.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UNS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：12.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
