销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004VK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：530mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
