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    阈值电压: 1V@250µA
    功率: 430mW
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
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    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.54nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:800
    加购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订88个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订88个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.54nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:88
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订101个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订101个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.54nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:101
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.54nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
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    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    起购:7
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