品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V
连续漏极电流：1.066A€845mA
类型：N+P-Channel
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016UDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@10V€59.76pF@16V
连续漏极电流：1.066A€ 845mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1077X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：31.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@10V
连续漏极电流：1.75A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ
漏源电压：0.4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
