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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:10050
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:2025
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB65CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:13.46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.37Ω@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订150个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订150个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM300NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM300NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM300NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1079pF@30V

    连续漏极电流:6A€25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP027N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP160N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STW10NK60Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW10NK60Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS127SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS127SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS127SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.08nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.8pF@25V

    连续漏极电流:50mA

    类型:N沟道

    导通电阻:160Ω@16mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:6
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:8
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:5000
    加购:2500
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