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    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP160N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP160N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月16日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:3000
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15265pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP25N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT110N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:534
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:800
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:6
    ST Mosfet场效应管 STP315N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP315N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP315N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:315W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12800pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STH200N10WF7-2
    ST Mosfet场效应管 STH200N10WF7-2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH200N10WF7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:340W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4430pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP240N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP240N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12600pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT110N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    加购:2
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD80N10F7
    ST Mosfet场效应管 STD80N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月16日前
    - +
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