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    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP027N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月30日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86350
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86350

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86350

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:25A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    加购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP027N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86350

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:25A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86350

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:25A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6340pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9130pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL100N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.8W€120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3435pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6340pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:200
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9130pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:85
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6340pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:750
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:62
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP027N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6340pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7
    ST Mosfet场效应管 STP140N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6340pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL100N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.8W€120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3435pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7082pF@40V

    连续漏极电流:19A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:500
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