栅极电荷
    阈值电压
    包装方式
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    栅极电荷: 13nC@10V
    阈值电压: 5V@250µA
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM50AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50T4
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM50T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF5P20
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF5P20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":895,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF5P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:665
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5752}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6665TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:62mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5752}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6665TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:62mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:642
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6665TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1590,"24+":633870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6665TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:62mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N40TU 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N40TU 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5000,"21+":5040,"MI+":5040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N40TU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5P20TU
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5P20TU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2003}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5P20TU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5P20TU
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5P20TU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5P20TU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:900
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N40TU
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N40TU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N40TU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:5000
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM50AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月3日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月3日前
    - +
    起购:3
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